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MOS管反向二極管作用詳細(xì)分析
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-07-05 19:38:26
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MOS管反向二極管作用詳細(xì)分析
MOS管反向二極管作用
MOS管電路圖中的反向二極管什么作用?
MOS管反向二極管
如圖所示,P-Base與Source電極相連。反向電流可以從Source流入P-Base,通過PN結(jié)(P-Base/N-Dift)流入Drain。
這個(gè)PN結(jié)就是MOSFET中的Body diode。其作用是導(dǎo)通電感負(fù)載傳導(dǎo)來的反向電流( H-bridge,half bridge or many other bridges)。
值得注意的是,當(dāng)P-Base與Source電極相連可以阻止parasitic NPN transistor的形成(N+/P-Base/N-Drift),使MOSFET工作在可控的狀態(tài)。
Body diode的作用在很多情況下相當(dāng)于Freewheeling diode(反向二極管),具體的應(yīng)用限制則根據(jù)MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而有所不同 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
下圖是二極管開關(guān)特性
MOS管反向二極管
p-channel MOSFET:
MOS管反向二極管
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